三维堆叠技术在NAND芯片封装中的应用与挑战

ISSN:3083-5526

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语言:中文

作者
易 维
文章摘要
三维堆叠技术通过垂直互连达成芯片多层堆叠,大幅提高NAND存储密度与带宽,降低传输延迟与功耗。其关键实现路径含芯片级堆叠和晶圆级堆叠,前者工艺成熟且灵活性高,后者集成密度跟互连性能更优。随着堆叠层数增多,技术面临热管理难题、机械应力累积以及信号完整性降低等核心挑战。未来需通过TSV与键合工艺协同优化、系统级封装融合及成本效益提升等策略,促使三维堆叠NAND朝着更高性能、更可靠以及可持续的方向发展。
文章关键词
三维堆叠;NAND封装;热管理
参考文献
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